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供應氮化鎵(GaN)氮化鎵外延片

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韶關(guān)市金源金屬材料有限公司供應氮化鎵(GaN)、氮化鎵(GaN)單晶、氮化鎵(GaN)晶片2寸3寸4寸,


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我們的作風(fēng):   質(zhì)量為本,信譽(yù)第一。我們的目標:   同行業(yè)的服務(wù)先鋒。
我們的發(fā)展戰略:借力互聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng) 形成全國銷(xiāo)售群 創(chuàng )有色金屬行業(yè)知名品牌。
人才理念:  企業(yè)的成功來(lái)自于每一名員工的付出。
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簡(jiǎn)要介紹
GaN具有寬的直接帶隙,強的原子鍵,高的熱導率等性質(zhì)和強的抗輻照能力,不僅是短波長(cháng)光電子材料,也是高溫半導體器件的換代材料,GaN體系可以用來(lái)制備藍、綠光LED,藍紫、紫外光LD、紫外探測器以及高頻大功率電子器件。

詳細參數

產(chǎn)品型號Item
GaN-FS-10
GaN-FS-15
尺寸Dimensions
10.0mm×10.5mm
14.0mm×15.0mm
孔洞密度Marco Defect Density
A Level
0 cm-2
B Level
≤ 2 cm-2
厚度Thickness
Rank 300
300 ± 25 μm
Rank 350
350 ± 25 μm
Rank 400
400 ± 25 μm
晶體取向Orientation
C-axis(0001) ± 0.5°
TTV(Total Thickness Variation)
≤15 μm
彎曲度BOW
≤20 μm
導電類(lèi)型Conduction Type
N-type
Semi-Insulating
電阻率Resistivity(300K)
< 0.5 Ω·cm
>106 Ω·cm
位錯密度Dislocation Density
Less than 5x106 cm-2
有效面積Useable Surface Area
> 90%
拋光Polishing
Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished
Back Surface: Fine ground
包裝Package
Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.
 

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